8 (495) 234-02-32
бесплатная консультация

Samsung готовит к выпуску 64 Гб NAND-чипы с интерфейсом Toggle DDR2

2011-05-13

Уже около года компания Samsung и Toshiba совместно занимаются разработкой NAND флэш-памяти с интерфейсом Toggle DDR2, и на днях появилась информации о подготовке к массовому производству 64 Гб (8 Гб) NAND-чипа, выполненного по технологии MLC (Multi-Level Cell) с вышеуказанным интерфейсом.

Чип производится по техпроцессу 20-нм и имеет пропускную способность 400 Мбит/с, тогда как максимальная пропускная способность у памяти с интерфейсом Toggle DDR1 всего 133 Мбит/с, а наиболее распространенная память SDR NAND имеет показатель пропускной способности всего 40 Мбит/с. Новинка ориентирована на сегмент твердотельных накопителей (SSD), высокопроизводительных смартфонов и планшетных компьютеров. Таким образом, благодаря новым чипам памяти увеличится производительность в SSD с интерфейсом SATA3 (с пропускной способностью до 6 Гбит/с) и смартфонах нового поколения.

По заявлению официального представителя компании Samsung, 64Гб Toggle DDR2 чипы показывают до 50% больший уровеноь производительности, чем 32 Гб MLC NAND чипы с интерфейсом Toggle DDR1 выполненных также по технологическому процессу 20-нм.

Ремонт компьютеров в москве от компьютерного сервиса МегаБит

Компьютерные новости